비밀번호를 입력해주세요.

제품소개

NAND Storage

UFS/eMMC

안내

MOSFET(금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터) 구조를 기반으로 합니다.

  • 카카오톡공유
  • 트위터공유
  • 페이스북공유
  • 네이버밴드공유
  • 네이버블로그공유

상세정보

쓰기(Program): 게이트에 고전압을 인가하여 전자를 플로팅 게이트에 주입합니다.


지우기(Erase): 반대 전압을 인가하여 플로팅 게이트에서 전자를 제거합니다.


읽기(Read): 셀의 문턱 전압(Threshold Voltage)을 측정하여 저장된 데이터를 판별합니다.

현재 보고계신 샘플 사이트는
넷퓨에서 제작한 사이트입니다.

홈페이지 기능 안내GO 넷퓨 홈페이지 GO

문의전화 : 1544 - 9638